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ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe

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ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe

我司ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體,是在Cr:ZnSe兩端鍵合純ZnSe形成的鍵合晶體,可以有效的改善Cr:ZnSe激光的綜合性能。

Cr:ZnSe的熱傳導(dǎo)系數(shù)為14W/cm/°K@ 20°C,ZnSe晶體的熱導(dǎo)率為18W/m/K,兩端鍵合形成ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體,可以有效改善Cr:ZnSe晶體的熱效應(yīng),降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng),改善激光的光束質(zhì)量,并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性,提升激光器的使用壽命。可調(diào)性廣泛(從2.1-3.1μm發(fā)射),增大增益截面(σ發(fā)射?9 × 10-19 cm2)以及激發(fā)態(tài)吸收的最小問(wèn)題(不允許上能級(jí)激發(fā)態(tài)的自旋躍遷)等優(yōu)點(diǎn)。

芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù),是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù),典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前,通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊,可以有效的增加鍵合強(qiáng)度,實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比,表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu),而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉,被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵,提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。

生產(chǎn)的ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小(一般小于20ppm)、鍵合面面形變化小(鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜,如兩個(gè)端面增透膜AR@2300~2500nm等。ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體廣泛的應(yīng)用于光通信、污染氣體檢測(cè)、工業(yè)燃燒產(chǎn)物測(cè)試等領(lǐng)域。

ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe

ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe
MaterialsZnSeCr:ZnSeZnSe
concentrations/(1~9)*1018/cm3/
StructureRods/Slabs/Sandwich/Waveguide/
End-face ConfigurationFlat/Convex/Wedge
Side ConfigurationPolish/Fine Ground
Coating availableAR@2300~2500nm/AR@2300~2500nm
others/others

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