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AgGaSe2

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AgGaSe2(硒鎵銀晶體),簡(jiǎn)稱AGSe晶體,是一種Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族三元化合物半導(dǎo)體,黃銅礦結(jié)構(gòu),4-2m點(diǎn)群.它是一種性能優(yōu)異的中遠(yuǎn)紅外非線性光學(xué)材料,可透過0.73~21 μm的紅外光,非線性系數(shù)大(d36=43×10-12 m/V),具有適宜的雙折射,對(duì)3~18 μm范圍的二次諧波能實(shí)現(xiàn)相位匹配,是中紅外激光倍頻有效的晶體材料,同時(shí)具有三波非線性作用(OPO)的優(yōu)良性能。其可用波段位于0.9-16 μm。用Ho:YLF 2.05 μm泵浦AgGaSe2晶體獲得2.5-12 μm OPO調(diào)諧光源;用1.4-1.55μm調(diào)諧光源泵浦的非臨界相位匹配OPO輸出1.9-5.5 μm調(diào)諧光源。

特點(diǎn)

  • 大的傳輸范圍:從73到18μm
  • 低光吸收和低散射
  • 高FOM(品質(zhì)因數(shù)),用于NIR和MIR中的非線性相互作用
  • 對(duì)中紅外激光的倍頻效率高
  • 適用于固態(tài)激光器的可調(diào)OPO,效率高達(dá)10%
  • 在各相同性點(diǎn)附近區(qū)域的光學(xué)窄帶濾波
  • 應(yīng)用波長(zhǎng)可達(dá)到中紅外的17μm

物化性質(zhì)

化學(xué)公式AgGaSe2
晶體結(jié)構(gòu)四方晶系
晶格參數(shù)a=5.9920?,c=10.8803?
光學(xué)對(duì)稱性負(fù)單軸(no>ne,λ<804 nm ne>no)
密度5.7g/cm3
Mohs硬度3-3.5
透明度范圍0.71-19μm
Sellmeier方程@T=293 K(λ in μm)no2=6.8507+0.4297/(λ2-0.1584)-0.00125λ2;
ne2=6.6792+0.4598/(λ2-0.2122)-0.00126λ2
折射率@10.5μmno=2.5917,ne= 2.5585
導(dǎo)熱系數(shù)@T=293 K1 (||c) Wm-1K-1, 1,1 (⊥c) Wm-1K-1
激光損傷閾值>10MW/cm2@10.6μm,150 ns
熔點(diǎn)851℃
帶隙1.83eV
倍頻系數(shù)33pm/V
雙折射0.0246@1.06μm
0.0317@5.3μm
0.0332@10.6μm

加工參數(shù)

定向精度<±0.1°
表面光潔度30/20 per MIL-O-13830A?
面型λ/8@632.8nm for T>=1mm
通光面公差+0/-0.1mm
長(zhǎng)度公差±0.1mm
平行度30″
垂直度10′
倒邊<0.2mm×45°

光譜

非線性晶體AgGaSe2相位匹配-南京光寶-CRYLINK非線性晶體AgGaSe2透過率-南京光寶-CRYLINK
Type 1 OPO和SHG相位匹配曲線18 mm長(zhǎng)未鍍膜AgGaSe2晶體的透射譜
非線性晶體AgGaSe2透過率2-南京光寶-CRYLINK
25 mm長(zhǎng)鍍膜AgGaSe2晶體的透射譜

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