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Yb:YAG+Sapphire

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Yb:YAG+Sapphire

我司Yb:YAG+Sapphire鍵合晶體,是在Yb:YAG一端鍵合Sapphire形成的鍵合晶體,可以有效的改善Yb:YAG激光的綜合性能。

Yb:YAG的熱傳導(dǎo)系數(shù)為0.14 W/cm/°K@ 25°C,Sapphire晶體的熱導(dǎo)率為25.12W/m/k (@ 100℃),兩端鍵合形成YAG+Sapphire鍵合晶體,可以有效改善Yb:YAG晶體的熱效應(yīng),降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng),高斜率效率、低量子缺陷、簡單的能級(jí)結(jié)構(gòu)等。改善激光的光束質(zhì)量,提升1030nm激光輸出效率,并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性,提升激光器的使用壽命。

芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù),是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù),典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前,通過快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊,可以有效的增加鍵合強(qiáng)度,實(shí)現(xiàn)對(duì)無機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比,表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu),而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉,被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵,提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。

生產(chǎn)的YAG+Sapphire鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小(一般小于20ppm)、鍵合面面形變化小(鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜,如兩個(gè)端面增透膜AR/AR@1030nm等。Yb:YAG+Sapphire鍵合晶體廣泛用于全息,干涉,光存儲(chǔ)等領(lǐng)域,也可以運(yùn)用在高效、大功率二極管泵浦固體激光器中的應(yīng)用。

特點(diǎn):

  • 可以有效改善Yb:YAG晶體的熱效應(yīng)
  • 降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)
  • 高斜率效率、低量子缺陷、簡單的能級(jí)結(jié)構(gòu)

Yb:YAG+sapphire

Yb:YAG+sapphire
MaterialsYb:YAGSapphire
concentrations1%, 2%,2,5%, 5%,7.5%, 10%/
StructureRods/Slabs/Sandwich/Waveguide/
End-face ConfigurationFlat/Convex/Wedge
Side ConfigurationPolish/Fine Ground
Coating availableAR@1030nmAR@1030nm
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